• 產品描述

    產品規格2500個/盤包裝說明靜電袋真空包裝**STANSON 型號STP4435 FET類型絕緣柵(MOSFET) 溝道類型P溝道 導電方式 增強型 漏源電壓(Vdss)30V 漏*電流(Id),10A 漏源導通電阻(RDS On) 22mΩ 柵源電壓(Vgs)20V 批號今年批次 柵*電荷(Qg)24nC 安裝類型貼片

    型號替代:


    STP443**替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459


    描述
    stp4435是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯
    它是利用高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度
    過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件
    特別適合于低電壓應用,如液晶顯示器背光,筆記本電腦等
    計算機電源管理和其他電池供電電路。



    特征
    -30V / -9.2a,RDS(上)= - 22(典型值
    @ VGS = - 10V
    -30V / -7.0a RDS(ON)=30
    @ VGS = 4.5v
    *高密度電池設計
    *低的RDS(on)
    l特殊的阻力和大值
    直流電流的能力

    SOP-8封裝設計


    **閱讀: STN442D STC4614


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