• 產品描述

    產品規格2500個/盤包裝說明靜電袋真空包裝**STANSON 型號STP601D FET類型絕緣柵(MOSFET) 溝道類型P溝道 導電方式 增強型 漏源電壓(Vdss)60V 漏*電流(Id),30A 漏源導通電阻(RDS On) 20mΩ 柵源電壓(Vgs)20V 批號今年批次 柵*電荷(Qg)58nC 安裝類型貼片

    產品介紹
    STP601D是P溝道增強型功率邏輯場效應
    晶體管是利用高密度,DMOS器件溝道技術。這個STP601
    已專門提高DC/DC的整體效率
    使用同步或傳統的開關型脈寬調制控制器的轉換器。它有
    被優化的低門電荷,低RDS(ON)和快速開關速度。

    特征
    - 60V / -20.0a,RDS(上)= 20(典型值)
    @ VGS = - 10V
    - 60V / -20.0a,RDS(上)= 27
    @ VGS = 4.5v
    *高密度電池設計
    *低的RDS(on)
    特殊的阻力和大
    直流電流的能力

    TO-252包裝設計



    **閱讀: STN442D STC4614


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