• 產品描述

    產品規格2500個/盤包裝說明靜電袋真空包裝**STANSON 型號STC4301D FET類型絕緣柵(MOSFET) 溝道類型NP雙溝道 導電方式 增強型 漏源電壓(Vdss)40V 漏*電流(Id),23A 漏源導通電阻(RDS On) 25mΩ 柵源電壓(Vgs)20V 批號今年批次 柵*電荷(Qg)5.5nC 安裝類型貼片

    STC4301D替代AOD606、AO609,FKD4903


    說明

    STC4301D是采用高電池密度的n&p溝道增強模式電場效應晶體管
    dmos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到低
    并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用
    如電源管理,其中高側開關、低在線功率損耗和暫態電阻是需要的。



    特征
    N溝道
    40v/12.0a,rd(上)=25毫歐
    @vgs=10v
    40v/10.0a,rd(上)=32毫歐
    @vgs=4.5v
    P溝首
    -40v/-8.0a,(上)=40毫歐
    @vgs=-10v
    -40v/-4.0a,rds=65毫歐
    @vgs=-4.5v
    *高密度電池設計
    *低的RDS(ON)
    異常阻力和大阻力直流電流能力


    TO-252-4L封裝


    **閱讀: STN442D STC4614


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